삼성전자 평택캠퍼스 항공사진. 제공 : 삼성전자

[미디어SR 이승균 기자] 삼성전자가 파운드리 반도체 분야에서 글로벌 1위 TSMC를 따라잡기 위해 극자외선(EUV) 생산 라인을 증설한다.

삼성전자는 21일 "EUV 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다"고 밝혔다.

삼성전자는 구체적인 투자 규모를 제시하지 않았으나 전자업계 한 관계자는 미디어SR에 "평택 공장 P2라인이 준공되는 2021년까지 10조원 안팎이 투입될 것으로 예상된다"고 설명했다.

이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 관련 후속 조치 중 하나다.

삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 ‘V1 라인’ 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(High Performance Computing), AI 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다.

EUV는 반도체의 재료인 웨이퍼에 빛을 쬐 반도체 회로를 형성시키는 설비를 말한다.

삼성전자 관계자는 미디어SR에 "10나노 이하 미세공정을 위해서는 EUV가 필수적"이라며 "EUV를 활용하면 복잡한 공정을 줄일 수 있어 성능과 생산성을 동시에 높일 수 있다"고 설명했다.

삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다.

삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다.

여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 것으로 예상된다.

또한 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

삼성전자는 차세대 D램부터 EUV 공정을 전면 적용한다고 밝힌 바 있어 평택 EUV 라인에서 메모리 제품도 생산될 것으로 관측된다.

삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.

한편, EUV 공정을 놓고 파운드리 업계 1, 2위를 다투고 있는 대만의 TSMC와 삼성전자의 나노 공정 경쟁이 더욱 가속화될 것으로 예상된다.

글로벌 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 2020년 1분기 기준 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 54.1%로 압도적으로 높으며, 삼성전자는 15.9% 수준이다.

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